Компанія Samsung Electronics оголосила про створення перших в галузі мікрочіпів пам’яті LPDDR5 DRAM ємністю 8 Гбіт.
Вироби призначені для використання в смартфонах з підтримкою мобільного зв’язку п’ятого покоління 5G, пише DigiTimes.
Новий модуль пам’яті 8Gb LPDDR5 виконаний по 10-нанометровому техпроцесу. Він має швидкість передачі даних до 6 400 Мбіт/с, що в 1,5 рази швидше, ніж мобільні чіпи DRAM, що використовуються в сучасних флагманських мобільних пристроях. Нова пам’ять здатна передавати до 51,2 ГБ даних в секунду.
Щоб максимізувати економію енергії, LPDDR5 класу 10Нм був спроектований таким чином, щоб знижувати напругу відповідно до робочої швидкості відповідного процесора в активному режимі. Модуль також налаштований таким чином, щоб уникнути перезапису елементів зі значеннями “0”. Крім того, новий чіп LPDDR5 буде пропонувати “глибокий режим сну”, який скорочує споживання енергії.
“Завдяки цим функціям, 8Gb LPDDR5 DRAM забезпечить зниження споживання енергії до 30%, максимізуючи продуктивність мобільних пристроїв і продовжуючи термін служби смартфонів”, – йдеться в заяві Samsung.
Samsung планує почати масове виробництво лінійки DRAM наступного покоління (LPDDR5, DDR5 і GDDR6) в найближчий час, на фабриках компанії в Пхьонтхекі.
